DDR DRAM Vergleich Stromaufnahme mit Bauteilen vom Wettbewerb (%)

Unser Entwicklungsteam hier bei Insignis hat den Schwerpunkt der Produktentwicklung auf minimale Stromaufnahme gelegt, um Zuverlässigkeit und Sytemleistung zu maximieren. Unsere Fertigung läuft auf ausgereiften Produktionsprozessen, um diese Vorteile zu bieten:

  • Inherent stabile Ids Eigenschaften der Transistoren im Bauteil
  • Geringere Empfindlichkeit für Temperatur

Neuere Produktionsprozesse erfordern komplexere Spannungsversorgung im chip, um engere Toleranzen und niedrigere Spannungen zu erreichen. Diese engeren Toleranzen haben schlechtere Wirkungsgrade zur Folge.

Insignis DRAM’s sind optimiert auf Zuverlässigkeit und eine möglichst lange Produktlebensdauer. Mit Insignis entfällt die Notwendigkeit ständiger Qualifikation neuer Produktionsprozesse (die-shrink) mit kleinereren Strukturen.